臺北科研人員在半導(dǎo)體制程設(shè)備與技術(shù)上取得一項(xiàng)突破，被譽(yù)為“半導(dǎo)體電漿制程測漏尖兵”的“微型光譜即時(shí)偵測器”由臺灣精密儀器發(fā)展中心宣布研發(fā)成功。 　　精密儀器發(fā)展中心主任陳建人今天在記者會上介紹，臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展快速，已創(chuàng)下高達(dá)兆元新臺幣的產(chǎn)值，各大廠對制程設(shè)備投資更是不遺余力，不過這些昂貴的設(shè)備幾乎完全仰賴進(jìn)口，于是該中心以“半導(dǎo)體電漿制程漏氣微型光譜即時(shí)偵測器研制”課題，參加為提升島內(nèi)半導(dǎo)體制程設(shè)備與技術(shù)所推動的“儀器設(shè)備合作開發(fā)研究計(jì)劃”，以有效提升產(chǎn)業(yè)競爭力。 　　在目前與下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的四個(gè)制程模塊中，薄膜沉積與蝕刻兩個(gè)模塊有過半機(jī)臺需要使用電漿制程，以一座標(biāo)準(zhǔn)八英寸或十二英寸晶圓廠而言，約有一百臺設(shè)備是使用電漿制程，當(dāng)腔體發(fā)生漏氣時(shí)，將會降低產(chǎn)品合格率與提高生產(chǎn)成本，嚴(yán)重時(shí)更將導(dǎo)致晶圓廠生產(chǎn)線作業(yè)停擺，造成業(yè)者莫大的損失，因此即時(shí)漏氣偵測儀器的開發(fā)刻不容緩。 　　精密儀器發(fā)展中心副研究員高健薰博士介紹，現(xiàn)有臺灣一般晶圓廠的制程質(zhì)量管理多采用每十二小時(shí)進(jìn)行一次晶圓半成品樣本特性檢測方式作管控，當(dāng)半成品合格率降低時(shí)，并不容易確認(rèn)問題是來自于腔體漏氣或其它原因。因?yàn)槿狈?shí)時(shí)偵測儀器，以目前常用之電漿氣相化學(xué)沉積機(jī)臺為例，平均每小時(shí)可以鍍制四十片八英寸晶圓，若在每十二小時(shí)半成品樣本檢測程序中間腔體發(fā)生漏氣時(shí)，將造成約新臺幣七百二十萬之成本損失。即使確認(rèn)漏氣是合格率降低的主因，期間停機(jī)尋找發(fā)生原因的損失也難以估計(jì)。 　　科研人員經(jīng)過一年兩個(gè)月的研究，開發(fā)出這種輕薄短小且為獨(dú)立于系統(tǒng)設(shè)備之外的實(shí)時(shí)偵測儀器。其工作原理系運(yùn)用電漿制程中各種氣體均具有不同特征光譜譜線的特性，若腔體發(fā)生漏入空氣的情況，腔體內(nèi)氣體成分將發(fā)生改變，如此即可藉由偵測氮?dú)饣蜓鯕獾奶卣髯V線來加以確認(rèn)。一旦有設(shè)定之異?，F(xiàn)象出現(xiàn)，便可由控制系統(tǒng)發(fā)出預(yù)防性的警示信號，對減少生產(chǎn)成本并對產(chǎn)品的合格率及品質(zhì)提升大有助益。這項(xiàng)研發(fā)創(chuàng)意已于聯(lián)華電子公司晶圓廠的電漿制程設(shè)備線上測試，該廠工程師認(rèn)為切實(shí)可行。 　　高建薰表示，微型光譜即時(shí)偵測器除應(yīng)用于半導(dǎo)體電漿制程設(shè)備外，平面顯示器等需使用電漿制程設(shè)備的高科技產(chǎn)業(yè)也可使用，在精密的九十納米以下制程工藝、苛刻的腔體漏測偵測需求時(shí)將更有用武之地。此項(xiàng)研發(fā)成果已申請專利并將積極對外推廣，估計(jì)僅島內(nèi)就有上萬臺的市場。